HMDS（六甲基二硅氮烷）烘箱使用

HMDS（六甲基二硅氮烷）烘箱在半导体光刻工艺中用于增强光刻胶与基片（如硅片）的粘附性。以下是其典型使用工艺及注意事项：

一、HMDS烘箱使用工艺流程

1. 设备准备  

  确保烘箱清洁无尘，通风系统正常（HMDS蒸气有毒，需有效排放）。  

  预热烘箱至设定温度（通常为150-200℃，具体根据工艺要求调整）。

2. 基片预处理  

  清洗基片：去除表面有机物和颗粒（常用丙酮、异丙醇、去离子水清洗，氮气吹干）。  

  脱水烘烤：将基片在100-120℃下烘烤5-10分钟，去除残留水分。

3. HMDS涂覆  

  气相法（常用）：  

    1. 将基片放入HMDS烘箱，注入液态HMDS（剂量约1-2ml/片）。  

    2. 在真空或惰性气体（如氮气）环境下，HMDS蒸发并吸附在基片表面。  

    3. 涂覆时间通常为5-10分钟。  

  旋涂法：将液态HMDS滴在基片表面，高速旋转甩匀，再转入烘箱。

4. 烘烤固化  

  温度：180-200℃（典型值）。  

  时间：1-5分钟，形成致密的疏水层。  

  注意：避免温度过高或时间过长，否则可能导致HMDS分解失效。

5. 冷却与转移  

  烘烤结束后，关闭加热，通氮气冷却至室温（避免骤冷导致基片应力）。  

  快速转移至光刻机进行涂胶，防止表面重新吸附水汽。

二、适用场景

基片类型：硅片、玻璃、金属（如铝、铜）等。  

工艺节点：适用于高分辨率光刻（如IC制造、MEMS、封装等）。

通过合理控制HMDS涂覆和烘烤参数，可显著提升光刻胶的粘附性，减少显影或刻蚀过程中的剥离缺陷。建议根据具体设备手册和工艺验证结果微调参数。